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DS1230Y-200IND+的图片

DS1230Y-200IND+

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集成电路(IC)，存储器，存储器
制造厂商：AD（Analog Devices，亚德诺半导体）
功能简述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
原厂封装：封装:28-EDIP
优势价格，DS1230Y-200IND+的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DS1230Y-200IND+的功能参数资料 - AD公司(亚德诺)提供
  • 型号:DS1230Y-200IND+
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI亚德诺, Maxim Integrated美信半导体)
  • 封装:28-EDIP
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:200ns
  • 访问时间:200 ns
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:28-DIP 模块（0.600，15.24mm）
  • 供应商器件封装:28-EDIP
  • 想获取DS1230Y-200IND+的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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