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LTC1982ES6#TRM
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LTC1982ES6#TRM价格
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LTC1982ES6#TRM技术资料
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LTC1982ES6#TRM
集成电路(IC),电源管理(PMIC),栅极驱动器
制造厂商:
AD(Analog Devices,亚德诺半导体)
功能简述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
原厂封装:
封装:TSOT-23-6
优势价格,LTC1982ES6#TRM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
LTC1982ES6#TRM的技术资料下载
LTC1982ES6#TRM的功能参数资料 - AD公司(亚德诺)提供
型号:LTC1982ES6#TRM
品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
封装:TSOT-23-6
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
驱动配置:高端
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
逻辑电压- VIL,VIH:0.6V,1.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
输入类型:反相
高压侧电压 - 最大值(自举):-
上升/下降时间(典型值):-
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:TSOT-23-6
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